打开移动导航

Versum 实验室注释

Digestive metal analysis methods for OM

As semiconductor dimensions continue to shrink, customers require very tight control limits on trace elemental impurities in the Organometallic Materials (OM) precursors used for deposition. 供应商必须确保分析证书中报告的痕量金属含量能够实际表示产品中的金属杂质。电感耦合等离子体质谱法(ICPMS)是测定痕量金属浓度的首选技术。ICPMS 技术非常适合测定水溶液中的金属。无法直接使用 ICPMS 分析沉积化学前驱体。需要将化学前驱体样品中的金属杂质定量转移到水溶液中。

对于工艺性化学品和大多数有机硅化学前驱体,存在于化学前驱体中的金属杂质无挥发性,并使用蒸发技术。将样品蒸发,并将非挥发性残留物(其将含有金属杂质)溶于酸中并使用 ICPMS 分析。然而,对于大多数 OM 化学前驱体来说,这种技术将不起作用,因为这些化学前驱体中的金属杂质本身是具有挥发性的。事实上,升华通常用于这些化学前驱体的纯化。因此,该产品将被证明具有非常低的金属杂质。以下是这个问题的一个示例:

以下是这个问题的一个示例:四叔丁醇铪的 ICPMS 分析比较(所有数量单位为 ppbw)

 批次 1 批次 2
元素蒸发消解蒸发消解
Al0.5431.128
As0.1350.179
Bi1.9981.5109
Cd0.2100.334
Crnd30.113
Cond60.125
Fe1.8370.549
Pbnd140.114
Mg0.3210.150
Mnnd4nd7
Mo0.1240.118
Nind100.128
Ag0.2950.1123
7.613800.42283
Zr253257667161288667

要准确量化我们的 OM 化学前驱体中金属杂质的含量,Versum Materials 开发了微波消解程序来捕获水溶液基质中的金属杂质,然后可以使用 ICPMS 仪器轻松进行分析。仔细选择用于消解的酸混合物,以确保 OM 化学前驱体和金属杂质完全溶解在得到的消解溶液中。消解中的 OM 基质因为相关金属杂质的敏感性和干扰而带来了难题。通过使用高灵敏度、基于三重四极杆的 ICPMS 仪器,这些基质问题得到了缓解。还应仔细选择反应气体和碰撞气体,以消除干扰对相关金属杂质的影响。

Versum Materials 提供的 OM 化学前驱体分析证书准确地表示了 OM 化学前驱体中金属杂质的实际含量。

作者

Suhas Ketkar 在公司工作了 27 年,是高级分析技术总监。Suhas 毕业于德克萨斯大学奥斯汀分校,拥有物理学博士学位,并在宾夕法尼亚大学沃顿商学院获得技术管理硕士学位。

Suhas.Ketkar@nullversummaterials.com

Powered by Translations.com GlobalLink OneLink Software