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沉积

Airopak® F2/N2 10% 氟氮混合物 – 商业等级 Versum Materials 作为世界领先的 Airopak® 氟气混合物供应商,拥有悠久的历史,其产品可用于塑料和含氟聚合物的表面改性。Airopak F2/N2 混合物可产生屏障性能或改变经处理的塑料表面的表面活化。Versum Materials 在全球提供装在气瓶和散装管拖车中的 10% 和 20% 氟氮 (F2/N2) 气体混合物。我们专业的技术......

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Airopak® F2/N2 20% 氟氮混合物 – 商业等级 Versum Materials 作为世界领先的 Airopak® 氟气混合物供应商,拥有悠久的历史,其产品可用于塑料和含氟聚合物的表面改性。Airopak F2/N2 氟/氮混合物可产生屏障性能或改变经处理的塑料表面的表面活化。Versum Materials 在全球提供装在气瓶和散装管拖车中的 10% 和 20% F2/N2 氟氮气体混合物。我们的专家......

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六氟化钨半导体 半导体级 (99.9%) 六氟化钨 (WF6) 是一种具有毒性、腐蚀性的无味液化气体。

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三甲基硅烷 3MS 半导体 半导体级硼酸三甲酯 (99.995%) 是我们针对低 k 半导体应用的标准高纯度产品。硼酸三甲酯是无色、无味、高度易燃的气体。

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六氟化钨高纯体 Megaclass 級 (99.9995%) 六氟化钨 (WF6) 是我们用于硅半导体金属化工艺应用的最高纯度级别,具有全金属分析特性。六氟化钨是一种具有毒性、腐蚀性的无味液化气体。

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钇前驱体 氧化钇 (Y) 在高 K 电介质工艺中用作其它高 K 膜(例如 HfO 2)上的覆盖层,或用作高 K 电介质(例如 ZrO2)的晶体形式稳定剂。

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碲前驱体 Versum Materials 提供一系列先进的锗烷 (Ge)、锑 (Sb) 和碲 (Te) 前驱体,用于相变合金(如 GST)薄膜沉积。这些前驱体是挥发性液体,适于在适度温度下直接蒸发。

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原硅酸四乙酯 TEOS 原硅酸四乙酯 (TEOS) 用作半导体硅源,用于掺杂和未掺杂的二氧化硅膜的薄膜沉积。用作硅烷和其它自燃硅源的替代品。

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四(二甲胺基)钛 TDMAT 四(二甲胺基)钛 (TDMAT) 是一种液相化学源,适合于氮化钛膜的化学气相沉积。TiN 膜是 IC 应用的有效扩散阻挡层。在半导体制程应用中,氮化钛膜是有效的扩散阻挡层

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四甲基环四硅氧烷 TOMCATS 四甲基环四硅氧烷 (TOMCATS) 用作高质量低介电常数膜和二氧化硅膜化学气相薄膜沉积 (CVD) 的硅源。

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